Micron Technology
IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA (MT47H64M8JN-25E IT:G)
Part Number: MT47H64M8JN-25E IT:G
Documents / Media: datasheets MT47H64M8JN-25E IT:G
Технические характеристики:
- Упаковка: Bulk
- Серия: -
- Состояние детали: Obsolete
- Тип памяти: Volatile
- Тип памяти: DRAM
- Технология: SDRAM - DDR2
- Объем памяти: 512Mb (64M x 8)
- Скорость: 400MHz
- Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
- Время доступа: 400ps
- Memory Interface: Parallel
- Напряжение питания: 1.7 V ~ 1.9 V
- Рабочая температура: -40°C ~ 95°C (TC)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Корпус: 60-TFBGA
- Исполнение корпуса: 60-FBGA (8x10)
Цена по запросу